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西电低剂量像差校正的高分辨率透射电子显微镜揭示了近原子尖锐的界面和外延生长。结果，弧故护断在每次整数翻转之后，在电荷中性附近观察到的类似狄拉克的特征再次出现。

小至1nA的电流可控制地在相反极化状态之间切换磁阶，障保之选从而形成可电重写的磁存储器。先前在Cu（111）金属上生长hBN单层的尝试未能实现单向，荣获人民当这些层合并成薄膜时会导致有害的晶界。借助原子清洁的vdW接口，年度作者进一步证明了m-TMD作为底层WSe2的高度可靠的合成vdW触点，年度具有出色的器件性能和良率，在双层WSe2中提供了高达900微安/微米的高导通电流密度晶体管。

我们预计这些结果将引起人们的关注，匠心技术奖并能够用基于半导体的中子探测器取代3He计数器。环分布不是Zachariasen连续随机网络，德力D电而是类似于竞争（纳米）晶体模型。

美国西北大学的MercouriG.Kanatzidis对半导体LiInP2Se6进行了报道，西电并展示了其作为直接检测室温下的热中子的候选材料的潜力。

文献链接：弧故护断Topologicalpolaritonsandphotonicmagicanglesintwistedα-MoO3 bilayers.(Nature,2020,DOI:10.1038/s41586-020-2359-9)19.Nature：弧故护断魔角石墨烯的相变级联和狄拉克恢复接近魔角的扭曲双层石墨烯展现出丰富的电子相关物理特性，显示出绝缘，磁性和超导相。文献链接：障保之选Ultrafastmachinevisionwith2Dmaterialneuralnetworkimagesensors.(Nature,2020,DOI:10.1038/s41586-020-2038-x)9.Nature:莫尔超晶格中可调谐的相关Chern绝缘子和铁磁性在强磁场中对二维电子系统的研究表明，障保之选量子霍尔效应是一种物质的拓扑状态，具有有限的Chern数C和手性边缘态。

荣获人民2D半导体的一个主要挑战是避免从相邻的电介质形成电荷散射和捕获位点。作者还证明了自插V11S16，年度In11Se16和FexTey可以在富含金属的条件下生长。

但是，匠心技术奖在二维材料中，相应的问题仍未得到解答。文献链接：德力D电IntrinsicquantizedanomalousHalleffectinamoiréheterostructure.(Science,2020,DOI:10.1126/science.aay5533)8.Nature:具有2D材料神经网络图像传感器的超快机器视觉机器视觉技术在近年来取得了长足的进步，德力D电并已成为各种智能系统（包括自动驾驶汽车和机器人技术）的组成部分。